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东芝首发UFS 3.0闪存:2.9GB/s带宽 比上一代提升80%

1月24日消息 根据外媒的报道,东芝内存公司(Toshiba Memory Corporation)已开始对业界首款UFS 3.0闪存嵌入式设备进行采样。 新产品系列采用了该公司最先进的96层BiCS FLASH 3D闪存,有

1月24日消息 根据外媒的报道,东芝内存公司(Toshiba Memory Corporation)已开始对业界首款UFS 3.0闪存嵌入式设备进行采样。 新产品系列采用了该公司最先进的96层BiCS FLASH 3D闪存,有三种容量可供选择:128GB,256GB和512GB。

 据介绍,东芝宣布推出业界首款采用超快速通用闪存(UFS)3.0版技术的嵌入式闪存芯片。新的内存芯片面向智能手机,平板电脑和增强/虚拟现实系统。

东芝表示,新芯片采用尖端的96层BiCS FLASH 3D闪存技术,以及采用JEDEC标准11.5 x 13mm封装的控制器,均符合JEDEC UFS 3.0以及HS-GEAR4标准,其理论接口速度高达每通道每秒11.6千兆位。通过两个通道,芯片可以达到23.2Gbps(2.9GB / s)的峰值带宽。

东芝128GB芯片今天开始采样,搭载它的智能手机预计将在今年晚些时候上市。


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